Fairchild Semiconductor FQA65N06
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FQA65N06
836-FQA65N06
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
1最小包装量--
FQA65N06详情
Fairchild Semiconductor FQA65N06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Voltage Rating (DC)
60 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
90 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
183 W
额定电流
72 A
元素配置
Single
功率耗散
183 W
上升时间
160 ns
漏源电压 (Vdss)
60 V
连续放电电流(ID)
72 A
栅极至源极电压(Vgs)
25 V
漏源击穿电压
60 V
输入电容
2.41 nF
漏源电阻
16 mΩ
最大rds
16 mΩ
无铅
无铅
FQA65N06拓展信息
Fairchild Semiconductor
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