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Fairchild Semiconductor FQA8N80

Name: FQA8N80
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQA8N80
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQA8N80

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQA8N80

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-3P-3, SC-65-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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FQA8N80 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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FQA8N80详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQA8N80重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件包装

TO-3P
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

220W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

QFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2Ohm @ 4.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2350 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

800 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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