对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | ||||||||||||||
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![]() | FQAF48N20 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | FQAF48N20 | 无 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | TO-3PF | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 5.92 | 30 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 未说明 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | 30 A | 0.05 Ω | 120 A | 200 V | 700 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 108 W |



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