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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 达到SVHC | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB4N60TM | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | 2 | SILICON | D2PAK-3 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 150 °C | 无 | FQB4N60TM | RECTANGULAR | Fairchild Semiconductor Corporation | 1 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 5.76 | TO-263 | 4.4 A | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | FET 通用电源 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-263AB | 4.4 A | 2.2 Ω | 17.6 A | 600 V | 260 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 3.13 W | unknown |
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