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Fairchild Semiconductor FQB6N90TM

Name: FQB6N90TM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQB6N90TM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQB6N90TM

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQB6N90TM

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FQB6N90TM Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FQB6N90TM详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQB6N90TM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK (TO-263)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.13W (Ta), 167W (Tc)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

QFET™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9Ohm @ 2.9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1880 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

900 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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