注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor FQI2N90TU

Name: FQI2N90TU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQI2N90TU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

FQI2N90TU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQI2N90TU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

FQI2N90TU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

FQI2N90TU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQI2N90TU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件包装

I2PAK (TO-262)
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.13W (Ta), 85W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

QFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2Ohm @ 1.1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

900 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

0个相似型号

FQI2N90TU拓展信息

热销零件