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Fairchild Semiconductor FQI5N50CTU

Name: FQI5N50CTU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQI5N50CTU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQI5N50CTU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQI5N50CTU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, I2PAK-3

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FQI5N50CTU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, I2PAK-3

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FQI5N50CTU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQI5N50CTU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件包装

I2PAK (TO-262)
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

73W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

QFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

625 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

500 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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