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Fairchild Semiconductor FQI7N10LTU

Name: FQI7N10LTU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQI7N10LTU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQI7N10LTU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQI7N10LTU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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FQI7N10LTU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQI7N10LTU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
安装类型

通孔
供应商器件包装

I2PAK (TO-262)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Product Status

Obsolete
Power Dissipation (Max)

3.75W (Ta), 40W (Tc)
厂商

Fairchild Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)
Package

Tube
系列

QFET®
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

350mOhm @ 3.65A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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