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Fairchild Semiconductor FQI7P06TU

Name: FQI7P06TU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQI7P06TU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQI7P06TU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQI7P06TU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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FQI7P06TU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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FQI7P06TU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQI7P06TU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件包装

I2PAK (TO-262)
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.75W (Ta), 45W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

QFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

410mOhm @ 3.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±25V
场效应管特性

-

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