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Fairchild Semiconductor FQP55N06

Name: FQP55N06
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQP55N06
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQP55N06

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQP55N06

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FQP55N06 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FQP55N06详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQP55N06重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220-3
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

133W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

QFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 27.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1690 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±25V
场效应管特性

-

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