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Fairchild Semiconductor FQU3P50TU

Name: FQU3P50TU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQU3P50TU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQU3P50TU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQU3P50TU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU3P50TU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU3P50TU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQU3P50TU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

-500 V
Turn Off Delay Time

35 ns
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
额定电流

-2.1 A
元素配置

Single
功率耗散

2.5 W
上升时间

56 ns
漏源电压 (Vdss)

500 V
连续放电电流(ID)

2.1 A
栅极至源极电压(Vgs)

30 V
漏源击穿电压

-500 V
输入电容

660 pF
漏源电阻

4.9 Ω
最大rds

4.9 Ω
无铅

无铅

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