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Fairchild Semiconductor FQU6P25TU

Name: FQU6P25TU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQU6P25TU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FQU6P25TU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQU6P25TU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU6P25TU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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FQU6P25TU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQU6P25TU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
引脚数

3
Voltage Rating (DC)

-250 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

40 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
额定电流

-4.7 A
元素配置

Single
功率耗散

2.5 W
接通延迟时间

13 ns
上升时间

75 ns
漏源电压 (Vdss)

250 V
连续放电电流(ID)

4.7 A
栅极至源极电压(Vgs)

30 V
漏源击穿电压

-250 V
输入电容

780 pF
漏源电阻

1.1 Ω
最大rds

1.1 Ω
辐射硬化

无
无铅

无铅

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