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Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3DS

Name: HGT1S7N60C3DS
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HGT1S7N60C3DS
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HGT1S7N60C3DS

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HGT1S7N60C3DS

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263AB, 3PIN

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HGT1S7N60C3DS详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3DS重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V
Voltage Rating (DC)

600 V
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-40 °C
最大功率耗散

60 W
额定电流

14 A
元素配置

Single
功率耗散

60 W
集电极发射器电压(VCEO)

600 V
最大集电极电流

14 A
反向恢复时间

18 ns
无铅

无铅

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