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Fairchild Semiconductor HP4410DYT

Name: HP4410DYT
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HP4410DYT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HP4410DYT

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HP4410DYT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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HP4410DYT Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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HP4410DYT详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HP4410DYT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

8-SOIC
Package

Bulk
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Product Status

活跃
Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)
厂商

Fairchild Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Ta)
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

UltraFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

135mOhm @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±16V
场效应管特性

-

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