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Fairchild Semiconductor HUF75617D3

Name: HUF75617D3
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HUF75617D3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUF75617D3

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HUF75617D3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,

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HUF75617D3 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,

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HUF75617D3详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HUF75617D3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装

I-PAK
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

64W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

UltraFET™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

90mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

570 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 20 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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