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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 技术 | 端子位置 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | JEDEC-95代码 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管特性 | 达到SVHC | RoHS状态 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75939P3 | Fairchild Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | Tube | 22A (Tc) | Fairchild Semiconductor | 10V | 180W (Tc) | Obsolete | 4V @ 250µA | -55°C ~ 175°C (TJ) | UltraFET™ | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 125mOhm @ 22A, 10V | 2200 pF @ 25 V | 152 nC @ 20 V | 200 V | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75939P3 | ON Semiconductor | 数据表 | 42197 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | 10V | 180W Tc | 22A Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2002 | UltraFET™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 125mOhm @ 22A, 10V | 2200pF @ 25V | 152nC @ 20V | 200V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75939P3 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | NO | SILICON | 10V | 1 | 180W Tc | 22A Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | UltraFET™ | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | 哑光锡 | SINGLE | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | R-PSFM-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 125m Ω @ 22A, 10V | 2.2pF @ 25V | 152nC @ 20V | 200V | ±20V | TO-220AB | 22A | 0.125Ohm | 200V | unknown | ROHS3 Compliant |
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