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Fairchild Semiconductor HUF76113DK8T

Name: HUF76113DK8T
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HUF76113DK8T
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUF76113DK8T

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HUF76113DK8T

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-VFSOP (0.091, 2.30mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8

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HUF76113DK8T Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8

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HUF76113DK8T详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HUF76113DK8T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-VFSOP (0.091, 2.30mm Width)
供应商器件包装

US8
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Ta)
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

UltraFET®
功率 - 最大

2.5W (Ta)
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

605pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

30V
场效应管特性

逻辑电平门

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HUF76113DK8T拓展信息

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