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'huf76443s'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料							厂商													操作温度	系列	JESD-609代码	无铅代码	端子表面处理	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	JEDEC-95代码	漏极-源极导通最大电阻	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	场效应管特性
		HUF76443S3S	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	2	SILICON	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	HUF76443S3S		RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.19	75 A				小概要	未说明			e0	无	锡铅		SINGLE	鸥翼	未说明	unknown	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL	TO-263AB	0.01 Ω	60 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
		HUF76443S3S	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK (TO-263)	Fairchild Semiconductor	4.5V, 10V	260W (Tc)	活跃				Bulk	75A (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	UltraFET®				MOSFET (Metal Oxide)										N-Channel		8mOhm @ 75A, 10V	3V @ 250µA	4115 pF @ 25 V	129 nC @ 10 V	60 V	±16V						-
		HUF76443S3ST	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	2	SILICON	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	HUF76443S3ST		RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.19	75 A				小概要	未说明			e0	无	锡铅		SINGLE	鸥翼	未说明	unknown	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL	TO-263AB	0.01 Ω	60 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
		HUF76443S3ST	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK (TO-263)	Fairchild Semiconductor	4.5V, 10V	260W (Tc)	活跃				Bulk	75A (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	UltraFET®				MOSFET (Metal Oxide)										N-Channel		8mOhm @ 75A, 10V	3V @ 250µA	4115 pF @ 25 V	129 nC @ 10 V	60 V	±16V						-