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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF76629D3ST_NL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 2 | SILICON | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | HUF76629D3ST_NL | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.15 | 20 A | e3 | 有 | 哑光锡 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | unknown | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-252AA | 0.055 Ω | 100 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
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