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Fairchild Semiconductor HUFA76404DK8T

Name: HUFA76404DK8T
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HUFA76404DK8T
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUFA76404DK8T

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HUFA76404DK8T

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 62V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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HUFA76404DK8T Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 62V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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HUFA76404DK8T详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HUFA76404DK8T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装

8-SOIC
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
功率 - 最大

2.5W
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)

62V
场效应管特性

逻辑电平门

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