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Fairchild Semiconductor HUFA76413D3ST

Name: HUFA76413D3ST
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-HUFA76413D3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUFA76413D3ST

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-HUFA76413D3ST

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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HUFA76413D3ST Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

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HUFA76413D3ST详情

技术参数

Fairchild Semiconductor HUFA76413D3ST重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

60W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

UltraFET™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

49mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

645 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±16V
场效应管特性

-

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