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'hufa76419d3st_qf085'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

电压 - 额定直流

技术

终端形式

额定电流

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

HUFA76419D3ST
HUFA76419D3ST
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3

260.37mg

SILICON

1

75W Tc

50 ns

20A Tc

4.5V 10V

3V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2002

UltraFET™

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

60V

鸥翼

20A

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

75W

DRAIN

6.5 ns

N-Channel

SWITCHING

37m Ω @ 20A, 10V

900pF @ 25V

27.5nC @ 10V

35ns

±16V

50 ns

20A

TO-252AA

16V

60V

2.39mm

6.73mm

6.22mm

无

ROHS3 Compliant

无铅

HUFA76419D3ST
HUFA76419D3ST
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TO-252AA

Bulk

HUFA76419

20A (Tc)

Fairchild Semiconductor

4.5V, 10V

75W (Tc)

活跃

3V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

UltraFET™

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

37mOhm @ 20A, 10V

900 pF @ 25 V

27.5 nC @ 10 V

60 V

±16V

-