Fairchild Semiconductor HUFA76609D3
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HUFA76609D3
836-HUFA76609D3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.168ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
1最小包装量--
HUFA76609D3详情
Fairchild Semiconductor HUFA76609D3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
55 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
49 W
额定电流
10 A
元素配置
Single
功率耗散
49 W
上升时间
18 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
10 A
栅极至源极电压(Vgs)
16 V
漏源击穿电压
100 V
输入电容
425 pF
漏源电阻
130 mΩ
最大rds
160 mΩ
无铅
无铅
HUFA76609D3拓展信息
Fairchild Semiconductor
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