Fairchild Semiconductor HUFA76609D3ST_NL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Fairchild Semiconductor

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

49W (Tc)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

HUFA76609D3ST_NL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.16

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

10 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

425 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

0.168 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-