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Fairchild Semiconductor IRF620

Name: IRF620
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRF620
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF620

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRF620

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF620 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF620详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRF620重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
引脚数

3
RoHS

Non-Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-65 °C
最大功率耗散

70 W
元素配置

Single
接通延迟时间

18 ns
上升时间

30 ns
连续放电电流(ID)

6 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
输入电容

350 pF
漏源电阻

800 mΩ
宽度

4.6 mm
高度

9.15 mm
长度

10.4 mm

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