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Fairchild Semiconductor IRF830B

Name: IRF830B
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRF830B
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF830B

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRF830B

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

起订量

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IRF830B Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IRF830B详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRF830B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-220-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-220
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

73W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1050 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

500 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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