注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor IRFM120A

Name: IRFM120A
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRFM120A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IRFM120A

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRFM120A

商品类别

无类别的

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

IRFM120A Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

请发送询价，我们将立即回复。

库存:20800

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IRFM120A详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRFM120A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装

SOT-223-4
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2.4W (Ta)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

200mOhm @ 1.15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

0个相似型号

IRFM120A拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z