Fairchild Semiconductor IRFR110ATF
- 收藏
- 对比
IRFR110ATF
836-IRFR110ATF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR110ATF详情
Fairchild Semiconductor IRFR110ATF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
28 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
功率耗散
20 W
上升时间
14 ns
连续放电电流(ID)
4.7 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
100 V
漏源电阻
400 mΩ
IRFR110ATF拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。