Fairchild Semiconductor IRFR110ATM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 20W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFR110ATM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.14

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400mOhm @ 2.35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

240 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

59 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-