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Fairchild Semiconductor IRFR220BTM_FP001

Name: IRFR220BTM_FP001
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRFR220BTM_FP001
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFR220BTM_FP001

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRFR220BTM_FP001

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3

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IRFR220BTM_FP001 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3

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IRFR220BTM_FP001详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRFR220BTM_FP001重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

30 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
元素配置

Single
功率耗散

2.5 W
上升时间

45 ns
漏源电压 (Vdss)

200 V
连续放电电流(ID)

4.6 A
栅极至源极电压(Vgs)

30 V
漏源击穿电压

200 V
输入电容

390 pF
漏源电阻

800 mΩ
最大rds

800 mΩ
无铅

无铅

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IRFR220BTM_FP001拓展信息

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