Fairchild Semiconductor IRFR430BTF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-252-3 (DPAK)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRFR430BTF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.15

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

端子表面处理

未说明

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1050 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-