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Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001

Name: IRFS634B_FP001
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRFS634B_FP001
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFS634B_FP001

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRFS634B_FP001

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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IRFS634B_FP001 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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IRFS634B_FP001详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3 Full Pack
供应商器件包装

TO-220F-3
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

38W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

450mOhm @ 4.05A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

250 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

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