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Fairchild Semiconductor IRLI510ATU

Name: IRLI510ATU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRLI510ATU
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRLI510ATU

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRLI510ATU

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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IRLI510ATU Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3

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IRLI510ATU详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRLI510ATU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
引脚数

3
Turn Off Delay Time

17 ns
RoHS

Compliant
Voltage Rating (DC)

100 V
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

3.8 W
额定电流

5.6 A
元素配置

Single
功率耗散

3.8 W
上升时间

10 ns
漏源电压 (Vdss)

100 V
连续放电电流(ID)

5.6 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

100 V
输入电容

235 pF
漏源电阻

440 mΩ
最大rds

440 mΩ
无铅

无铅

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