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Fairchild Semiconductor IRLM210ATF

Name: IRLM210ATF
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRLM210ATF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRLM210ATF

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRLM210ATF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRLM210ATF Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRLM210ATF详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRLM210ATF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

4
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

200 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

20 ns
包装

卷带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.8 W
额定电流

770 mA
元素配置

Single
功率耗散

1.8 W
上升时间

9 ns
漏源电压 (Vdss)

200 V
连续放电电流(ID)

770 mA
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

200 V
输入电容

240 pF
漏源电阻

1.5 Ω
最大rds

1.5 Ω
无铅

无铅

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