注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor IRLR110ATF

Name: IRLR110ATF
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-IRLR110ATF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IRLR110ATF

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-IRLR110ATF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

IRLR110ATF Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IRLR110ATF详情

技术参数

Fairchild Semiconductor IRLR110ATF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

100 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

17 ns
电阻

440 mΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
额定电流

4.7 A
元素配置

Single
功率耗散

2.5 W
上升时间

10 ns
漏源电压 (Vdss)

100 V
连续放电电流(ID)

4.7 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

100 V
输入电容

235 pF
漏源电阻

440 mΩ
最大rds

440 mΩ
无铅

无铅

0个相似型号

IRLR110ATF拓展信息

热销零件