Fairchild Semiconductor IRLR230ATF
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IRLR230ATF
836-IRLR230ATF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
1最小包装量--
IRLR230ATF详情
Fairchild Semiconductor IRLR230ATF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Voltage Rating (DC)
200 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
30 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.5 W
额定电流
7.5 A
元素配置
Single
功率耗散
2.5 W
上升时间
6 ns
漏源电压 (Vdss)
200 V
连续放电电流(ID)
7.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
200 V
输入电容
755 pF
漏源电阻
400 mΩ
最大rds
400 mΩ
无铅
无铅
IRLR230ATF拓展信息
Fairchild Semiconductor
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