注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor ISL9N303AP3

Name: ISL9N303AP3
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-ISL9N303AP3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

ISL9N303AP3

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-ISL9N303AP3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

ISL9N303AP3 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

请发送询价，我们将立即回复。

库存:8700

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

ISL9N303AP3详情

技术参数

Fairchild Semiconductor ISL9N303AP3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
Number of Elements

1
Voltage Rating (DC)

30 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

51 ns
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

215 W
额定电流

75 A
元素配置

Single
功率耗散

215 W
上升时间

69 ns
漏源电压 (Vdss)

30 V
连续放电电流(ID)

75 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

30 V
输入电容

7 nF
漏源电阻

2.6 mΩ
最大rds

3.2 mΩ
无铅

无铅

0个相似型号

ISL9N303AP3拓展信息

热销零件