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Fairchild Semiconductor ISL9V3036S3S

Name: ISL9V3036S3S
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-ISL9V3036S3S
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

ISL9V3036S3S

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-ISL9V3036S3S

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,D2PAK-3

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ISL9V3036S3S Fairchild Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 350V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,D2PAK-3

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ISL9V3036S3S详情

技术参数

Fairchild Semiconductor ISL9V3036S3S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

360 V
Voltage Rating (DC)

360 V
RoHS

Compliant
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-40 °C
最大功率耗散

150 W
额定电流

21 A
元素配置

Single
功率耗散

150 W
集电极发射器电压(VCEO)

1.6 V
最大集电极电流

21 A
无铅

无铅

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