J108_D26Z
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Fairchild Semiconductor J108_D26Z

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型号

J108_D26Z

utmel 编号

836-J108_D26Z

商品类别

晶体管 - JFET

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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J108_D26Z
J108_D26Z Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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J108_D26Z详情

Fairchild Semiconductor J108_D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    J108D26Z

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.13

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 漏极-源极导通最大电阻

    8 Ω

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.4 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    15 pF

0个相似型号

J108_D26Z拓展信息

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