Fairchild Semiconductor KSC5338DWTM
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KSC5338DWTM
836-KSC5338DWTM
分立半导体产品
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大陆
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin, D2PAK-3
1最小包装量--
KSC5338DWTM详情
Fairchild Semiconductor KSC5338DWTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450 V
hFEMin
25
Voltage Rating (DC)
450 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
75 W
额定电流
5 A
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
11 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
500 mV
最大集电极电流
5 A
转换频率
11 MHz
集电极基极电压(VCBO)
1 kV
发射极基极电压 (VEBO)
12 V
无铅
无铅
KSC5338DWTM拓展信息
Fairchild Semiconductor
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