Fairchild Semiconductor KSC5603D
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KSC5603D
836-KSC5603D
分立半导体产品
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
KSC5603D详情
Fairchild Semiconductor KSC5603D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
800 V
hFEMin
20
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
800 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
100 W
额定电流
3 A
频率
5 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
100 W
增益带宽积
5 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
800 V
最大集电极电流
3 A
转换频率
5 MHz
集电极基极电压(VCBO)
1.6 kV
发射极基极电压 (VEBO)
12 V
无铅
无铅
KSC5603D拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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