Fairchild Semiconductor KSD1273P

底架

通孔

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

hFEMin

500

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

60 V

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

2 W

额定电流

3 A

频率

30 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2 W

增益带宽积

30 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

3 A

转换频率

30 MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

无铅

无铅