Fairchild Semiconductor KSE13005H1ATU
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KSE13005H1ATU
836-KSE13005H1ATU
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
KSE13005H1ATU详情
Fairchild Semiconductor KSE13005H1ATU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 V
RoHS
Non-Compliant
hFEMin
10
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
75 W
极性
NPN
增益带宽积
4 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
4 A
集电极基极电压(VCBO)
700 V
发射极基极电压 (VEBO)
9 V
连续集电极电流
1.5 A
KSE13005H1ATU拓展信息







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