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Fairchild Semiconductor NDB4060

Name: NDB4060
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-NDB4060
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDB4060

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-NDB4060

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

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NDB4060 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

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NDB4060详情

技术参数

Fairchild Semiconductor NDB4060重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK (TO-263)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

50W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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