Fairchild Semiconductor NDB6030
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NDB6030
836-NDB6030
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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NDB6030详情
Fairchild Semiconductor NDB6030重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
40 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
75 W
上升时间
103 ns
连续放电电流(ID)
46 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
漏源电阻
18 mΩ
NDB6030拓展信息
Fairchild Semiconductor
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