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Fairchild Semiconductor NDB708A

Name: NDB708A
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-NDB708A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDB708A

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-NDB708A

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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NDB708A Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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NDB708A详情

技术参数

Fairchild Semiconductor NDB708A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

175 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

NDB708A
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

5.7
Drain Current-Max (ID)

60 A
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别

FET 通用电源
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)

60 A
漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A
DS 击穿电压-最小值

80 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

150 W

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NDB708A拓展信息

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