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Fairchild Semiconductor NDH8321C

Name: NDH8321C
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-NDH8321C
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDH8321C

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-NDH8321C

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-TSOP (0.130, 3.30mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

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NDH8321C Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

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NDH8321C详情

技术参数

Fairchild Semiconductor NDH8321C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-TSOP (0.130, 3.30mm Width)
供应商器件包装

SuperSOT™-8
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
功率 - 最大

800mW (Ta)
场效应管类型

N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

35mOhm @ 3.8A, 4.5V, 70mOhm @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 10V, 865pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
场效应管特性

Standard

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