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Fairchild Semiconductor NDP6030PL

Name: NDP6030PL
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-NDP6030PL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NDP6030PL

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-NDP6030PL

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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NDP6030PL Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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NDP6030PL详情

技术参数

Fairchild Semiconductor NDP6030PL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220-3
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

75W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±16V
场效应管特性

-

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