Fairchild Semiconductor NDS8839H

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

40 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NDS8839H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

5.7 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-4 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

漏源击穿电压

30 V

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

漏源电阻

45 mΩ

环境耗散-最大值

2 W