Fairchild Semiconductor NDS8852H
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NDS8852H
836-NDS8852H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
1最小包装量--
NDS8852H详情
Fairchild Semiconductor NDS8852H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
21 ns
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.2 W
额定电流
3.4 A
功率耗散
2.5 W
上升时间
21 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
连续放电电流(ID)
7.3 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
输入电容
840 pF
漏源电阻
80 mΩ
最大rds
20 mΩ
无铅
含铅
NDS8852H拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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